ТНЦ СО РАН » Структура » Институты и подразделения » Институт сильноточной электроники СО РАН
Томский научный центр СО РАН
In English Каталог Карта сайта Версия для печати
Главная
Структура
ИСЭ СО РАН
.. Вернуться
Направления деятельности
Важнейшие достижения
Публикации
История ИСЭ СО РАН
Институт сильноточной электроники СО РАН

Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения
Российской академии наук

Директор Института - член-корреспондент РАН Ратахин Николай Александрович

Научный руководитель Института - Академик, вице-президент РАН Месяц Геннадий Андреевич

Основные направление научной деятельности

  • ИМПУЛЬСНАЯ ЭНЕРГЕТИКА И ФОРМИРОВАНИЕ ПЛОТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ И ИОННЫХ ПУЧКОВ
  • ГЕНЕРИРОВАНИЕ МОЩНЫХ ПОТОКОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ
  • ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМЫ СИЛЬНОТОЧНЫХ ВАКУУМНЫХ И ГАЗОВЫХ РАЗРЯДОВ
  • ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОНОВ, ИОНОВ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕЩЕСТВОМ


Адрес:
Россия 634055 г. Томск, проспект Академический, 2/3,
Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук
Тел. (3822) 491544 Факс (3822) 492410
E-mail:contact@hcei.tsc.ru

634055, Томск, пр. Академический,   | Контакты | Карта сайта | Паспорт |
Президиум Томского научного центра СО РАН   © ТНЦ СО РАН